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簡要描述:晶體尺寸:10毫米電學性能:半導體晶體結構:斜方晶系晶胞參數(shù):a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9晶體類型:合成晶體純度:>99.995%表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量
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晶體尺寸:10毫米
電學性能:半導體
晶體結構:斜方晶系
晶胞參數(shù):a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量
XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
EDX of a single crystal Bi2S3.
Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.
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